芯片工业现已成为中美高科技竞赛的制高点。全球70%以上的电子终端产品在我国大陆制作和拼装，其间大部分销往全球各地。一方面，2022年，我国电子信息制作业规划现已超越20万亿元。另一方面，由于我国的芯片出产无法满意国内商场，因而咱们不得不很多进口芯片。来自国家统计局的数据显现，我国芯片进口数量总额5384亿块，进口额也到达了2.7663万亿元，占比达15.30%，虽然较2021年下降0.9%。
揭露数据显现，2013年,我国大陆芯片进口额初次超越原油,成为第一大进口商品。
2022年，集成电路进口额依然力压原油进口额，依然继续成为第一大进口商品。
一般，咱们用多少纳米来表征芯片功能的先进性。现在，7nm及以下的先进制程芯片，我国100%从境外进口，或许在我国台湾省的台积电公司代工。
芯片工业链首要分为支撑链（配备、资料和掩模）、规划链、制作链和终端运用链。2020年12月18日，美国将中芯世界列入“实体清单”。对用于10nm及以下技能节点的产品或技能，采纳“推定回绝”的批阅方针进行审阅，直接导致我国大陆无法进行7nm以下先进制程的技能晋级。毫无疑问，作为信息工业生态最底层的根底硬件，当时我国大陆芯片工业链被支撑链和规划链“卡了脖子”，直接导致制作链的开展受阻。
那么，我国大陆先进制程芯片工业链开展面临了哪三座大山？绕不过的先进制程芯片制作配备前三名是什么呢？
关于我国大陆先进制程芯片业的卡脖子问题，一直是一个被继续地热议的问题，国内许多专家给出了许多不同的解读。
2022年10月7日，美国商务部工业安全局宣告了对美国《出口管理条例》进行的一系列修订，即“出口控制新规”，这一般被解读为“史上最严峻的” 出口控制新规。本文的解读来自于这个所谓的“出口控制新规”。
依据“出口控制新规”，美国芯片制作商有必要取得美国商务部赞同才干对华出口半导体和芯片制作设备。美国供货商在向出产18nm或以下的DRAM芯片、128层或以上的NAND闪存芯片、14nm或以下的逻辑芯片的我国企业出口设备时，有必要进行逐案检查。这骄傲所谓的我国大陆先进制程芯片业的三座大山。
2022年10月9日，“出口控制新规”发布2天之后，我国半导体行业协会即创造晰声明，指出了该新规形成的“巨大的负面影响”。
DRAM英文全称为Dynamic Random Access Memory，中文名为动态随机存取存储器，具有运算速度快、掉电后数据丢掉的特色，常运用于体系硬件的运转内存，广泛运用于服务器、PC 和手机等。自1971年诞生之日起，DRAM一直是“芯片之王”，是最大宗（没有之一）的单一芯片产品。在约5600亿美元的全球芯片商场份额，DRAM的占比约为17%。
DRAM的技能开展现已进入12 nm等级，现已形成了三星电子（韩）、SK海力士(韩)、美光(美国)三大巨子味道的局势。三巨子一起占有了约94%的DRAM商场份额。
当时三星电子和SK海力士的DRAM的量产技能现已选用EUV光刻机技能，美光的DRAM的量产技能正在考虑选用EUV光刻机技能。我国大陆的长鑫存储公司主攻DRAM产品，不得不停留在18nm技能节点。
NAND其实不是缩写，是Not AND，意思是为：与非。NAND Flash全名为Flash Memory，归于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，即断电后仍能保存数据。具有容量较大，读写速度快等长处，是一种比硬盘驱动器更好的大数据存储设备。
NAND闪存芯片的商场份额仅略低于DRAM芯片，是名副其实的“芯片榜眼”。 在约5600亿美元的全球芯片商场份额，NAND闪存芯片的占比约为12%。
NAND闪存芯片的技能开展现已迫临15nm节点。可是，层数是最要害技能指标，层数越多，单位空间存储密度就越大，总存储容量越简单进步。SK海力士(韩) 在2023年5月进入238层3D NAND大规划出产阶段。
三星电子（韩）、SK海力士(韩)、铠侠（日本），美光(美国)、西部数据（美国）五大巨子味道约98%的3D NAND商场份额。
需求指出的是，3D NAND闪存芯片的立体结构更依赖于刻蚀机和物理堆积设备。当然，水浸没式193nm光刻机依然是量产高功能3D NAND闪存芯片的必要条件。可是，并不需求EUV光刻机！
我国大陆的长江存储公司主攻3D NAND闪存芯片。2022年8月份，长江存储正式发布200层+3D NAND闪存芯片产品X3-9070，2022年12月开端进行量产。X3-9070是我国有史以来存储密度最高的闪存颗粒。
现在14nm或以下芯片制程首要运用于CPU、GPU、FPGA、APU、Soc等对功能要求比较高的逻辑芯片中，比方AMD和英特尔的CPU和英伟达的GPU等高端显卡。
现在，具有14nm 芯片制程才能的芯片厂首要包含：我国台积电、三星电子、英特尔、格芯、联电和中芯世界。具有7nm 芯片制程才能的芯片厂只要我国台积电、三星电子和英特尔三巨子。其间三星电子和我国台积电别离于2022上半年和下半年宣告量产3nm芯片。
近期，我国大陆的芯片代工一哥，中芯世界官网下线nm工艺技能的介绍，仅保存28nm及以上工艺的信息。原因咱们都懂的。
众所周知，光刻机的首要效果是将芯片电路图转移到硅片上，而光刻技能正是决议芯片电路巨细的要害因素。在芯片制作中，特征尺度越小，芯片功能越好！由于在相同空间中制作的晶体管越多，芯片的速度和能效就越高。
EUV光刻机是连续摩尔定律的重器，其基本功能是把EUV掩模上的图形经过缩小投影曝光的方法转移到硅片表面上的EUV光刻胶上。EUV光刻机是芯片制作中最杂乱、最贵重的设备。光刻工艺的费用约占芯片制作本钱的1/3左右，消耗时刻占比约为40-50%。
荷兰的ASML（阿斯麦）是当时仅有能量产EUV光刻机的厂商，一骑绝尘。EUV光刻机里边有10万多个零部件，全球超越5000家供货商（首要供货商约1000家）。整个光刻机中，荷兰腔体和英国线%。
现在，最为先进的3nm芯片，运用的骄傲ASML 0.33 NA EUV光刻机，型号为NXE:3400D。明显，EUV光刻机一直对我国大陆禁运。
在EUV光刻机呈现之前，技能人员运用DUV光刻机制作芯片，也骄傲咱们常说的水浸没式193nm光刻机制作14nm芯片。其原理是在透镜和晶圆之间刺进浸没介质来缩短波长。浸没式光刻运用折射原理，经过用纯净水填充投影镜头和晶圆之间的空间来完结更高的分辨率——纯净水的折射率为1.44，高于空气的折射率1.00。单次曝光分辨率理论上衬托到达38nm，实际上是40nm。
经过自对准两层图画技能、四重图画化工艺等，理论上是水浸没式193nm光刻机是衬托完结7nm节点工艺制程，可是明显所需的掩模数量翻倍，并且工艺也十分杂乱，量产难度很大。
2023年1月27日，美国与荷兰和日本在华盛顿就约束向我国出口一些先进的芯片制作设备达成协议，赞同扩展对华芯片出口控制办法。该协议的目的是摧残我国在芯片、超级计算机和人工智能范畴的前进，挫折我国的“军事现代化”。
2023年5月23日，日本经济工业省发布外汇法法则修正案，正式将先进芯片制作设备等23个品类归入出口控制，该控制将在7月23日收效。
ASML公司的水浸没式193nm光刻机全球市占率达90%以上。依据知情人士泄漏，荷兰政府方案最早下周宣告新的出口控制办法，将约束ASML Holding NV对我国的芯片制作设备出口。估计规则最早会在6月30日或7月第一周发布。
电子束光刻设备用于制作芯片规划公司输出的芯片图形，表现芯片规划者目的，在高精度掩模制备中有着不行代替的效果。芯片微纳结构制备精度激烈依赖于所运用的掩模精度，掩模精度的要求往往要高于芯片要求。关于现在3 nm制程，更是将这种掩模精度要求进步到极致。电子束光刻设备是仅有能可以完结这种高精度掩模制备的中心芯片制作配备，被誉为人类历史上最精细的“画笔”。
电子束光刻设备是EUV掩模制作中技能最杂乱、本钱最贵的环节。一款高端芯片一般需求60-90块光刻掩模，其间EUV掩模数量为5-10块，单块本钱最高可达200万美元以上。
现在世界上具有变形束电子束光刻设 备开发和出产才能的厂商有日本的JEOL公司、Nuflare公司、德国的Vistec公司和奥地利的IMS（ IMS Nanofabrication GmbH）公司。
其间日本Nuflare 公司的设备占有了商场份额的 90% 以上，其产品 EBM-9500PLUS 是仅有一个具有 5/3 nm 掩模制备才能的变形束设备，其束流密度远超同类产品，使出产不能尽数极大进步。
美国英特尔公司开始于2009年出资奥地利的IMS公司，于2015年收买了IMS公司事务。IMS公司2015年创造多电子束技能，并推出首款商用多束掩模写入器。第二代多波束掩模写入器MBMW-201已于2019年进入5nm节点的掩模制作商场。自收买以来，IMS为英特尔带来了巨大的出资报答，一起将其职工和出产才能增长了四倍，并供给了三代额定的产品。
2023年6月21日，英特尔公司宣告，已赞同将其IMS公司事务约20%的股份出售给贝恩本钱特殊情况公司（“贝恩本钱”），这笔买卖估值约为43亿美元。该买卖估计将于2023年第三季度完结。这项出资将使IMS经过加快创新和完结更深化的跨行业协作，捉住多波束掩模写入东西的严重商场机会。
果然如此，多束电子束光刻机一直是《瓦森纳协议》管控内容，对应的条款是3.B.1.f.3和3.B.1.f.4。
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